 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
ST Microelectronics STF6N60M2 |
od PLN 3,48*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,50*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STD15N60DM6 |
od PLN 3,886*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STP6N60M2 |
od PLN 3,33*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 650mA, TO-92 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=VP3203N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=650 mA, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=25 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źród... |
Microchip Technology VP3203N3-G |
od PLN 5,97*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 116 A PowerPAK SO-8 80 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 116 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 |
|
od PLN 4,59*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 700mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=XP152A11E5MR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=700 mA, Czas narastania=25 ns, Czas opadania=40 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=25 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-... |
Torex Semiconductor XP152A11E5MR-G |
od PLN 0,83*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 115 A TO-252 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 115 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RD3L07BBGTL1 |
od PLN 4,646*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 116 A H2PAK-7 650 V SMD 0,024 oma (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 116 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SCTH90 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
ST Microelectronics SCTH90N65G2V-7 |
od PLN 93,125*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 12 A DPAK-3 800 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = DPAK-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie... |
ST Microelectronics STD80N340K6 |
od PLN 8,108*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,139*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 40V, 430mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TP0606N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=430 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=15 ns, Czas opóźnienia włączenia=8 ns, Napięcie bramka-źródł... |
Microchip Technology TP0606N3-G |
od PLN 2,70*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 116 A DFN 100 V SMD 0.0043 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 116 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = NTMFS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
od PLN 6,617*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 116 A PowerPAK SO-8 80 V SMD (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 116 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 |
|
od PLN 10 565,82*
za 3 000 szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STF19NM50N |
od PLN 4,06*
za szt. |
|
|
