| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2148901 Nr producenta: NTMFSC4D2N10MC EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 116 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = NTMFS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0043 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 116 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | DFN | Seria: | NTMFS | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0043 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2148901, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMFSC4D2N10MC |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |