MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 1 046/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; X-Class; unipolarny; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 125ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W...

IXYS

IXFP8N85X

od PLN 6,75*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 10,6 A PowerPAK SC-70 30 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 10,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerPAK SC-70 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Vishay

SIA483ADJ-T1-GE3

od PLN 1 424,04*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; X2-Class; unipolarny; 650V; 8A; 150W; TO263 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 105ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W P...

IXYS

IXFA8N65X2

od PLN 7,24*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 550 ma, 800 ma SOT-363 30 V SMD 0,7 oma (1 Oferta)

Tryb wzmocnienia pary uzupełniającej DiodesZetex 30V MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu, a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, dzięki czemu...

Diodes

DMC3401LDW-7

od PLN 836,22*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 600V; 13A; 86W; TO263 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarn...

WAYON

WMM16N60FD

od PLN 3,41*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,1/3,2 A PG-TSDSON-8 LTI 20/ 20 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,1/3,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20/ 20 V Typ opakowania = PG-TSDSON-8 LTI Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

BSZ215CHXTMA1

od PLN 7,35*
za 2 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 6A; 26W; TO220FP (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: WAYON Montaż: THT Ob...

WAYON

WML09N60C2

od PLN 1,39*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 100 A 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Renesas Electronics

NP100P06PDG-E1-AY

od PLN 14,274*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 100 A 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Renesas Electronics

NP100P06PDG-E1-AY

od PLN 10 161,856*
za 800 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 200V; 140A; 520W; TO3P (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 90ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W P...

IXYS

IXFQ140N20X3

od PLN 31,15*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 600 ma, 750 ma SOT-363 20 V SMD 0.75 O, 1.5 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 600 ma, 750 ma Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-363 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezy...

Diodes

DMC2710UDWQ-7

od PLN 0,751*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 600V; 20A; 147W (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unipola...

WAYON

WMK26N60FD

od PLN 6,19*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 550 ma, 800 ma SOT-363 30 V SMD 0,7 oma (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 550 ma, 800 ma Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMC3401 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja d...

Diodes

DMC3401LDW-7

od PLN 0,987*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 6A; 45W; TO251S3 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251S3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja: unipolar...

WAYON

WMG09N60C2

od PLN 1,11*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8

Diodes

DMPH33M8SPSW-13

od PLN 5,232*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 1041 1042 1043 1044 1045 1046 1047 1048 1049 1050 1051 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 957 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

"MOSFET"