MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 520/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 270A, D2PAK (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRFS3006TRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=270 A, Czas narastania=182 ns, Czas opadania=189 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=118 ns, Czas opóźnienia włączenia=16 ns, Napięcie bramk...

Infineon

IRFS3006TRLPBF

od PLN 8,395*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD 2.8 MO (1 Oferta)

Infineon 40 V, N-CH, maks. 2.8 MΩ, MOSFET samochodowy, SS08 (5x6), OptiMOS™-5.OptiMOS™ - MOSFET mocy do zastosowań motoryzacyjnych N-Channel (kanał N) - Tryb wzmocnienia - Normal Level (poziom norm...

Infineon

IPC100N04S52R8ATMA1

od PLN 3,196*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,35A; 0,32W; SOT363 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,32W Po...

Diodes

DMN61D9UDW-7

od PLN 1,04*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A TO-247 300 V 0.019 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V Seria = StrongIRFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...

Infineon

IRF300P226

od PLN 25,03*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,17A; 285mW; SC88 (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 285mW Polaryzacja: uni...

Toshiba

SSM6N7002CFU,LF(T

od PLN 0,61*
za 5 szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 280mA, SOT-23 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002A, Ciągły prąd drenu (Id)=280 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Re...

Diotec

2N7002A

od PLN 0,0915*
za szt.

Infineon BSC011N03LSI tranzystor 25 V (1 Oferta)

Infineon

BSC011N03LSIATMA1

od PLN 15,365*
za 5 szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 280mA, SOT-23 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002, Ciągły prąd drenu (Id)=280 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez...

Diotec

2N7002

od PLN 0,132*
za szt.

Infineon BSC011N03LS tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

BSC011N03LSATMA1

od PLN 14 968,70*
za 5 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 15A; 2,1W; SO8 (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,1W Polaryzacj...

Texas Instruments

CSD88539NDT

od PLN 2,09*
za szt.

Infineon BSC009NE2LS tranzystor 25 V (2 ofert)

Infineon

BSC009NE2LSATMA1

od PLN 3,30*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,225A; 0,28W; SOT563F (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT563F Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,225A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,28W Polaryzacja: ...

onsemi

NTZD5110NT1G

od PLN 1,485*
za 5 szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 280mA, TO-92 (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=TN2106N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=280 mA, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=2...

Microchip Technology

TN2106N3-G

od PLN 1,69*
za szt.

Infineon BSC0502NSI tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

BSC0502NSIATMA1

od PLN 2,214*
za szt.

Infineon BSC016N06NS tranzystor 80 V (1 Oferta)

Infineon

BSC016N06NSATMA1

od PLN 25 866,50*
za 5 000 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 032 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

"MOSFET"