MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 516/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 20 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...

Infineon

IAUC100N10S5L040ATMA1

od PLN 7,168*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 7,6A; 1,4W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 7,6A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,4W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ro...

Infineon

IRF7904TRPBF

od PLN 1,36*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8DC 30 V SMD 0.00062 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = SiDR392DP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...

Vishay

SIDR392DP-T1-RE3

od PLN 4,43*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 6,5A; 1,44W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,44...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4842

od PLN 0,54*
za szt.

Infineon IAUC100N10S5N040 tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1

od PLN 4,315*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 22/28A; 12/13W; DFN5x6 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 22/28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2/2,9mΩ T...

Alpha & Omega Semiconductor

AON6934A

od PLN 1,42*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 35A, TO-252 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=STD30NF06LT4, Ciągły prąd drenu (Id)=35 A, Czas narastania=105 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źró...

brak danych

STD30NF06LT4

od PLN 8,38*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PQFN 5 mm x 6 mm 20 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = PQFN 5 mm x 6 mm Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

IRFH6200TRPBF

od PLN 5,27*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 5,5A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarn...

onsemi

FDS6930A

od PLN 1,03*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 360mA, SOT-23 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138P, Ciągły prąd drenu (Id)=360 mA, Czas narastania=3 ns, Czas opadania=4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=2 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V...

NXP

BSS138P

od PLN 0,18*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Infineon

ISC019N03L5SATMA1

od PLN 2,059*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8DC 40 V SMD 0.00088 Ω, 0.00116 Ω (2 ofert)

Wzmacniacz Vishay SIDR638DP-T1-RE3 to N-kanałowy MOSFET 40 V (D-S).Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Bardzo niska wartość FOM RDS-Qg Optymalizacja pod kątem najniższej wartości FOM RDS-Qoss...

Vishay

SIDR638DP-T1-RE3

od PLN 6,65*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8,4A; 1,5W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...

Diodes

DMG4800LSDQ-13

od PLN 0,71*
za szt.

Infineon IAUC100N10S5L040 tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

IAUC100N10S5L040ATMA1

od PLN 4,315*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 23/30A; 12,5/18W; DFN5x6 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 23/30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,4/11,7mΩ...

Alpha & Omega Semiconductor

AON6906A

od PLN 1,50*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 951 ofert spośród 4 926 781 artykułów)

"MOSFET"