MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 521/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 50V; 0,28A; 0,25W; SOT563 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 0,28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Pola...

Diodes

DMN5L06VK-7

od PLN 0,36*
za szt.

Infineon BSC011N03LSI tranzystor 25 V (1 Oferta)

Infineon

BSC011N03LSIATMA1

od PLN 15,365*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,215A; 0,3W; SOT363 (1 Oferta)

Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,215A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0...

Micro Commercial Components

2N7002DW-TP

od PLN 1,77*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD 2.8 MO (1 Oferta)

Infineon 40 V, N-CH, maks. 2.8 MΩ, MOSFET samochodowy, SS08 (5x6), OptiMOS™-5.OptiMOS™ - MOSFET mocy do zastosowań motoryzacyjnych N-Channel (kanał N) - Tryb wzmocnienia - Normal Level (poziom norm...

Infineon

IPC100N04S52R8ATMA1

od PLN 3,196*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,35A; 0,32W; SOT363 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,32W Po...

Diodes

DMN61D9UDW-7

od PLN 1,04*
za 5 szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 650V, 15A, TO-220 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=SPP15N60C3XKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=15 A, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źró...

Infineon

SPP15N60C3XKSA1

od PLN 15,76*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 mA SOT-23 250 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Seria = BSS139I Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Wyczerpanie Maksym...

Infineon

BSS139IXTSA1

od PLN 0,40*
za szt.

Infineon IPC100N04S5L-2R6 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPC100N04S5L2R6ATMA1

od PLN 2,031*
za szt.

Infineon BSC016N06NS tranzystor 80 V (1 Oferta)

Infineon

BSC016N06NSATMA1

od PLN 25 903,05*
za 5 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 300 mA US6 60 V SMD 1,2e+006 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 300 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = US6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źr...

Toshiba

SSM6N7002KFU,LF(T

od PLN 0,75*
za 5 szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 650V, 35A, TO-220AB (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=STP45N65M5, Ciągły prąd drenu (Id)=35 A, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=9.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=16 ns, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło...

brak danych

STP45N65M5

od PLN 37,53*
za szt.

Infineon BSC011N03LS tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

BSC011N03LSATMA1

od PLN 14 931,55*
za 5 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 2,6A; 1,25W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,25W Polar...

Diodes

ZXMN6A11DN8TA

od PLN 1,16*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 101 A D2PAK (TO-263) 150 V SMD 0.073 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 101 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = NTB7D Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...

onsemi

NTB7D3N15MC

od PLN 5 444,68*
za 800 szt.

Infineon IPC100N04S5-2R8 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPC100N04S52R8ATMA1

od PLN 2,031*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 521 522 523 524 525 526 527 528 529 530 531 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 951 ofert spośród 4 926 781 artykułów)

"MOSFET"