MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 1 031/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 9A; 63W; TO220-3 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polaryzacja: unipolar...

WAYON

WMK11N65C2

od PLN 2,66*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A 1206-8 ChipFET 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = 1206-8 ChipFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Vishay

SI5504BDC-T1-GE3

od PLN 1,929*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 8A; 57W; TO263 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,69Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 57W Polaryzacja: unipolarny...

WAYON

WMM10N60C2

od PLN 1,54*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 30 A PowerPak SO-8L podwójny 40 V SMD 34 W, 34 W 30 mΩ (1 Oferta)

Układ MOSFET zasilania TrenchFET®

Vishay

SQJ504EP-T1_GE3

od PLN 2,315*
za szt.

MOSFET N-kanałowy PowerPAK SO-8L 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1

Vishay

SQJB46ELP-T1_GE3

od PLN 1,782*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 38A; 277W; TO262 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 277W Polaryzacja: unipolarn...

WAYON

WMN38N65C2

od PLN 7,56*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 99 A TO-220AB 100 V 0.016 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 99 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...

Diodes

DMT10H9M9SCT

od PLN 19,03*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 700V; 11A; 85W; TO220-3 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzacja: unipola...

WAYON

WMK14N70C2

od PLN 3,48*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A PowerPAK 1212-8 Dual 100 V SMD 0.167 O, 0.251 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...

Vishay

SiS590DN-T1-GE3

od PLN 2,222*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 11A; 85W; TO262 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 405mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzacja: unipolarn...

WAYON

WMN14N65C2

od PLN 2,29*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A 1206 ChipFET 20 V SMD 0.05 O,0.156 O (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...

Vishay

SI5515CDC-T1-GE3

od PLN 2 910,33*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 9,5A; 208W; PG-TO220-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W...

Infineon

IPP90R340C3XKSA1

od PLN 11,85*
za szt.

MOSFET N-kanałowy PowerPAK SO-8L 60 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1

Vishay

SQJ170ELP-T1_GE3

od PLN 6 111,24*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 5A; 42W; TO251 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unipolarny...

WAYON

WMP07N65C2

od PLN 0,90*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 99 A TO-247-4 700 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 99 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1

Microchip Technology

MSC015SMA070B4

od PLN 131,024*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 1031 1032 1033 1034 1035 1036 1037 1038 1039 1040 1041 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 951 ofert spośród 4 926 814 artykułów)

"MOSFET"