Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 814 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A 1206-8 ChipFET 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = 1206-8 ChipFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI5513CDC-T1-GE3
od PLN 0,776*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolarny; 400V; 1A; Idm: 4A; 500mW (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMC1N40D1
od PLN 0,193*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 3 A, 3,5 A TSMT-8 60 V SMD 0.09 (kanał N) o, 0.091 (kanał P) o (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A, 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = QH8MC5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...
ROHM Semiconductor
QH8MC5TCR
od PLN 1,102*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 10,5A; 85W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzacja: unipolar...
WAYON
WMN11N80M3
od PLN 1,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 1,1 A HVMDIP 50 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = HVMDIP Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFD9010PBF
od PLN 3,994*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 700V; 7,5A; 57W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 57W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMF10N70C2
od PLN 1,57*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy -16,4 A TO-252 -60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = -16,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = -60 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
Infineon
IPD900P06NMATMA1
od PLN 1,744*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 9A; 63W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMO11N60C2
od PLN 1,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A HUML2020L8 30 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = HUML2020L8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
UT6MA2TCR
od PLN 0,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 600V; 13A; 86W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMK16N60FD
od PLN 4,28*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 3,1 A SOIC 60 V SMD 0.12 O, 0.25 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOIC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren...
Diodes
DMHC6070LSD-13
od PLN 2,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 10A; 85W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,03Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzacja: unipolarn...
WAYON
WMO10N80M3
od PLN 1,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 700V; 8A; 63W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,68Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polaryzacja: unipolar...
WAYON
WMK11N70C2
od PLN 2,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy -4,3 A TO-252 -60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = -4,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = -60 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Infineon
IPD40DP06NMATMA1
od PLN 1,307*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 13A; 86W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMK16N65C2
od PLN 3,69*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1031   1032   1033   1034   1035   1036   1037   1038   1039   1040   1041   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.