Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 918 863 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A HUML2020L8 30 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = HUML2020L8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
UT6MA2TCR
od PLN 0,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 700V; 8A; 63W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,68Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polaryzacja: unipolar...
WAYON
WMK11N70C2
od PLN 2,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 600 ma, 750 ma SOT-363 20 V SMD 0.75 O, 1.5 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 600 ma, 750 ma Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-363 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezy...
Diodes
DMC2710UDWQ-7
od PLN 0,694*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 5A; 23W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzacja: unipolarny ...
WAYON
WML06N80M3
od PLN 1,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy -3,6 A PICOSTAR –20 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = -3,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = –20 V Typ opakowania = PICOSTAR Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Texas Instruments
CSD25501F3T
od PLN 1,546*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X-Class; unipolarny; 850V; 40A; 860W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86...
IXYS
IXFH40N85X
od PLN 36,19*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 1 A HVMDIP 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HVMDIP Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFD9120PBF
od PLN 4,707*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 650V; 13A; 31W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WML16N65FD
od PLN 3,40*
za szt.
 
 szt.
Infineon
AUIRF7343QTR
PLN 3,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 600V; 13A; 31W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WML16N60FD
od PLN 3,28*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 7 A, 9 A SOP 30 V SMD 0.018 Omh, 0.028 Omh (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A, 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dr...
ROHM Semiconductor
SP8M4HZGTB
od PLN 4,051*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 5A; 50W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipolarny Ro...
WAYON
WMM06N80M3
od PLN 0,98*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 1 A HVMDIP 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HVMDIP Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFD9120PBF
od PLN 2,583*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 1,1 A HVMDIP 50 V (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = HVMDIP Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFD9010PBF
od PLN 1,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 650V; 20A; 147W (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMJ26N65FD
od PLN 7,92*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1031   1032   1033   1034   1035   1036   1037   1038   1039   1040   1041   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.