MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 515/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 6,5A; 1,44W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,44...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4842

od PLN 0,55*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A SO-8 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...

Vishay

SIR638ADP-T1-UE3

od PLN 24 210,45*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 1,6A; 0,5W; UF6 (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: TOSHIBA Montaż: SMD ...

Toshiba

SSM6N40TU,LXGF

od PLN 0,53*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PQFN 5 mm x 6 mm 20 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = PQFN 5 mm x 6 mm Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

IRFH6200TRPBF

od PLN 5,28*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 5,5A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarn...

onsemi

FDS6930A

od PLN 1,04*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 120A, TO-220AB (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB3306PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=77 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źród...

IRFB3306PBF

od PLN 5,46*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Infineon

ISC019N03L5SATMA1

od PLN 2,059*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 6,5A; 1,3W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4822A

od PLN 1,41*
za szt.

Infineon IPP040N06N3 G tranzystor 100 V (2 ofert)

Infineon

IPP040N06N3GXKSA1

od PLN 3,78*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8 80 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Vishay

SiR584DP-T1-RE3

od PLN 9 796,32*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8,4A; 1,5W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...

Diodes

DMG4800LSDQ-13

od PLN 0,71*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-23 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N7002TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró...

Torex Semiconductor

XP261N7002TR-G

od PLN 0,65*
za szt.

Infineon IAUC100N10S5N040 tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1

od PLN 4,315*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 16A; 12,5W; DFN5x6 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4mΩ Typ tran...

Alpha & Omega Semiconductor

AON6810

od PLN 2,24*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-523 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70025R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró...

Torex Semiconductor

XP261N70025R-G

od PLN 0,48*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 032 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

"MOSFET"