Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 1.7A, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=FDN5630, Ciągły prąd drenu (Id)=1.7 A, Czas narastania=6 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=15 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 ...
Fairchild
FDN5630
od PLN 1,01*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFH5301TRPBF
od PLN 8,86*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8DC 30 V SMD 0.00062 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET Vishay N-Channel 30 V (D-S) jest wyposażony w Top Side Cooling, co zapewnia dodatkowe miejsce na transfer termiczny. Zoptymalizowano współczynnik QG, Qgd i Qgd/QGS, co zmniejsza s...
Vishay
SIDR392DP-T1-RE3
od PLN 7,596*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3,5A; 1,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 46mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,1W...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4862E
od PLN 0,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 100A, TO-220 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=TSM100N06CZ C0G, Ciągły prąd drenu (Id)=100 A, Czas narastania=19 ns, Czas opadania=43 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=85 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-...
Taiwan Semiconductor
TSM100N06CZ C0G
od PLN 3,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.004 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1
od PLN 7,195*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3A; 730mW; TSOP6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,73...
Alpha & Omega Semiconductor
AO6802
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 80 V SMD 0.4 O. (1 Oferta) 
Seria DiodesZetex DMTH84M1SPQ to N-kanałowy system MOSFET zaprojektowany z myślą o spełnieniu surowych wymagań w zakresie zastosowań motoryzacyjnych. Jest używany przełącznik obciążenia i przetworn...
Diodes
DMTH84M1SPSQ-13
od PLN 6,158*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFH5302TRPBF
od PLN 1,833*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8DC 40 V SMD 0.00088 Ω, 0.00116 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET® Gen IV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dre...
Vishay
SIDR638DP-T1-RE3
od PLN 9,644*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 35/67A; 9,6/15W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 35/67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5/2mΩ Typ t...
Alpha & Omega Semiconductor
AOE6936
od PLN 2,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-323 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002W, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rezy...
Diotec
2N7002W
od PLN 0,0915*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Infineon
IAUC100N10S5L040ATMA1
od PLN 7,168*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 5,8A; 1,3W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W Polaryz...
Diodes
DMN3024LSD-13
od PLN 0,87*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIR512DP-T1-RE3
od PLN 3,492*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.