MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 518/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000-D26Z, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, ...

onsemi

2N7000-D26Z

od PLN 0,38*
za szt.

Infineon IRFH6200 tranzystor 20 V (1 Oferta)

Infineon

IRFH6200TRPBF

od PLN 3,384*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 6A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Pol...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4840E

od PLN 0,65*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R...

Microchip Technology

2N7000-G

od PLN 1,37*
za szt.

Infineon IPC100N04S5L-1R9 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPC100N04S5L1R9ATMA1

od PLN 2,637*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 31/72,5A; 8,5/18W (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 31/72,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,3/2mΩ T...

Alpha & Omega Semiconductor

AONY36352

od PLN 2,27*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD 0.0023 O. (1 Oferta)

Seria produktów OptiMOS firmy Infineon jest dostępna w pakietach o wysokiej wydajności, które zapewniają pełną elastyczność w ograniczonej przestrzeni. Te produkty firmy Infineon zostały zaprojekto...

Infineon

BSC0502NSIATMA1

od PLN 3,781*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8A; 1,3W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W P...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4832

od PLN 1,02*
za szt.

Infineon IRFB3256 tranzystor 40 V (2 ofert)

Infineon

IRFB3256PBF

od PLN 5,09*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A TDSON 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...

Infineon

ISC026N03L5SATMA1

od PLN 1,279*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 6A; 1,3W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W P...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4882

od PLN 0,83*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 20A, DPAK (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=DI020N06D1, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=6 ns, Czas opadania=3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17 ns, Czas opóźnienia włączenia=6 ns, Napięcie bramka-źródło=20...

Diotec

DI020N06D1

od PLN 1,22*
za szt.

Infineon IRFH5250 tranzystor 30 V (2 ofert)

Infineon

IRFH5250TRPBF

od PLN 11 541,48*
za 4 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 7,4A; 3,9W; SO8 (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 7,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,9W Polaryzacja: unipo...

Vishay

SQ4284EY-T1_GE3

od PLN 4,17*
za szt.

Infineon IPC100N04S5-1R9 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPC100N04S51R9ATMA1

od PLN 13 140,25*
za 5 000 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 032 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

"MOSFET"