Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 2,5A; 125W; TO220AB (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: DIODES INCORPORATED ...
Diodes
DMN90H8D5HCT
od PLN 2,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy PowerPAK SO-8L 40 V SMD (1 Oferta) 
Kanał N Vishay MOSFET ma typ pakietu PowerPAK SO-8L.Wartości R-C dla obwodu elektrycznego we wspomaganiu/zbiorniku i. w zestawie znajdują się konfiguracje przestrogi/filtrów
Vishay
SQJB46ELP-T1_GE3
od PLN 1,996*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 3A; 4,6W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 4,6W Polaryzacja: unipolarny ...
WAYON
WMF04N60C2
od PLN 0,92*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 99 A TO-220AB 100 V 0.016 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 99 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Diodes
DMT10H9M9SCT
od PLN 3,613*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 18A; 540W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFH18N90P
od PLN 31,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 93.6 A PowerPAK SO-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 93.6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIR188LDP-T1-RE3
od PLN 4,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 4,4A; 33W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Pola...
Infineon
IPA90R800C3XKSA1
od PLN 4,19*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy TO-92 240 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalne napięcie dren-źródło = 240 V Typ opakowania = TO-92 Typ montażu = Otwór przezierny
Microchip Technology
VN2406L-G
od PLN 5,678*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy PowerPAK SO-8L 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Vishay
SQJ170ELP-T1_GE3
od PLN 2,436*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 6A; 45W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja: unipolar...
WAYON
WMK09N60C2
od PLN 1,88*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 99 A TO-247-4 700 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 99 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Microchip Technology
MSC015SMA070B4
od PLN 130,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR40N90P
od PLN 82,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 95 A HSMT8 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 95 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSMT8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RH6G040BGTB1
od PLN 3,037*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryza...
SHINDENGEN
P4F90VX3-5600
od PLN 2,59*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD90R1K2C3ATMA1
od PLN 4,69*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1021   1022   1023   1024   1025   1026   1027   1028   1029   1030   1031   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.