Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 958 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 850V; 40A; 860W; TO268HV; 200ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86...
IXYS
IXFT40N85XHV
od PLN 41,26*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 98 A TDSON-8 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ...
Infineon
ISC036N04NM5ATMA1
od PLN 2,951*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 6,5A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 6,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 86mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny...
onsemi
FDS3590
od PLN 1,83*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 900 mA SOT-323 20 V SMD 0.45 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal...
Diodes
DMN2710UWQ-7
od PLN 0,464*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,46Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 230W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR24N90P
od PLN 48,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 99 A TO247-4L 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 99 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO247-4L Typ montażu = Otwór przezierny
onsemi
NTH4L025N065SC1
od PLN 50,328*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 98 A TO-263-7L 750 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-263-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerze...
ROHM Semiconductor
SCT4013DW7TL
od PLN 96,954*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD95R1K2P7ATMA1
od PLN 2,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 95 A TO-247AC 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 95 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
SIHG026N60EF-GE3
od PLN 58,114*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB067N08N3GATMA1
od PLN 4,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 91 A HiP247-4 1200 V 0.03 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 91 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
od PLN 295,907*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy DSO-24 (1 Oferta) 
Typ kanału = N Typ opakowania = DSO-24 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 24 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał tranzystora = SiC
Infineon
6ED2231S12TXUMA1
od PLN 24,985*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 1,08A; Idm: 6,8A; 50W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 1,08A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FQD2N90TM
od PLN 2,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 99 A D-Pak (TO-252AA) 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 99 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = D-Pak (TO-252AA) Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRLR3636TRLPBF
od PLN 3,474*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 20V; 25mA; 200mW (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 25mA Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipolarny Właściwości elementów półprzewodnikowych: ESD protected...
NTE Electronics
NTE455
od PLN 6,29*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1021   1022   1023   1024   1025   1026   1027   1028   1029   1030   1031   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.