| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2222835 Nr producenta: DMN2710UWQ-7 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji do zarządzania energią o wysokiej wydajności.Niska rezystancja w stanie włączenia Niska pojemność wejściowa Wysoka szybkość przełączania Całkowicie bezawaryjny i w pełni zgodny z RoHS Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 900 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | SOT-323 | Seria: | DMN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.45 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1V | Materiał tranzystora: | Plastik |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2222835, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN2710UWQ7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |