Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 907 048 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 600V; 20A; 147W (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMK26N60FD
od PLN 6,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 8 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SI4534DY-T1-GE3
od PLN 2,558*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 6,8A; 55W (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 6,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 55W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMK07N80M3
od PLN 1,70*
za szt.
 
 szt.
Infineon
ISP75DP06LMXTSA1
od PLN 0,744*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X2-Class; unipolarny; 650V; 12A; 180W; 155ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 155ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 180...
IXYS
IXFP12N65X2
od PLN 8,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 1,1 A SOT-223 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
ISP75DP06LMXTSA1
od PLN 1,395*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 650V; 38A; 277W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 277W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMM38N65FD
od PLN 9,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,2 A; 5,8 A SOIC 40 V SMD 0.06 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,2 A; 5,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SOIC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Diodes
DMC4050SSDQ-13
od PLN 1,517*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 600V; 38A; 277W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 277W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMN38N60FD
od PLN 7,07*
za szt.
 
 szt.
MOSFET NPN-kanałowy 30 A, 30 A, 20 A Potrójny Die 200 (kanał 3) V 40 (kanał 1) V 40 (2) V SMD Wspólny dren 48 W, 48 W, (1 Oferta) 
Motoryzacja 40 V N- i P-kanałowe wspólny spust pary MOSFET i 200 V N-kanałowych tranzystorów MOSFET.Zoptymalizowane potrójny zestaw tłoczników Układ MOSFET zasilania TrenchFET®
Vishay
SQUN702E-T1_GE3
od PLN 5,319*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 7A; 70W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacja: unipolar...
WAYON
WMK08N80M3
od PLN 1,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 1,7 A SOT-23 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SQ2309CES-T1_GE3
od PLN 1,278*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X2-Class; unipolarny; 650V; 18A; 290W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 135ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W P...
IXYS
IXFA18N65X2
od PLN 10,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 650V; 38A; 34W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Polaryzacja: unipol...
WAYON
WML38N65FD
od PLN 8,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,5 A SOIC 40 V SMD 0.1 O, 0.058 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SOIC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren...
Diodes
DMHC4035LSDQ-13
od PLN 1,528*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1031   1032   1033   1034   1035   1036   1037   1038   1039   1040   1041   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.