| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2567371 Nr producenta: SI5504BDC-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = 1206-8 ChipFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N, P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | 1206-8 ChipFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2567371, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI5504BDCT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |