MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 522/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 650V, 4A, TO-252 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IXTY4N65X2, Ciągły prąd drenu (Id)=4 A, Czas narastania=28 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=57 ns, Czas opóźnienia włączenia=22 ns, Napięcie bramka-źródło=...

IXYS

IXTY4N65X2

od PLN 5,09*
za szt.

Infineon BSC039N06NS tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

BSC039N06NSATMA1

od PLN 14 469,70*
za 5 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 2,1A; Idm: 12A; 1,5W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...

Diodes

DMN6070SSDQ-13

od PLN 0,82*
za szt.

Infineon IPP100N08S2L-07 tranzystor 75 V (1 Oferta)

Infineon

IPP100N08S2L07AKSA1

od PLN 480,87*
za 50 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 3,1A; 4W; SO8 (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 3,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 64mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 4W Polaryzacja: unipolarn...

Vishay

SQ9945BEY-T1_GE3

od PLN 2,02*
za szt.

Infineon IPN60R1K5CE tranzystor 700 V (1 Oferta)

Infineon

IPN60R1K5CEATMA1

od PLN 2,04*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 101 A PowerPAK 1212-8SLW 40 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 101 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Vishay

SQS141ELNW-T1_GE3

od PLN 5 854,50*
za 3 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A TDSON 100 V SMD Pojedynczy 156 W 8,6 milioma (1 Oferta)

Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, 100 V i więcej

Infineon

BSC070N10NS3GATMA1

od PLN 3,051*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A TO-220 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...

Infineon

IPP039N10N5AKSA1

od PLN 10,832*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 6,5 A SO-8 60 V SMD 0.052 O. (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...

Vishay

SI4946BEY-T1-E3

od PLN 2,521*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 3,6A; 1,28W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,28...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4828

od PLN 0,76*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 101 A PQFN 3 x 3 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 101 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...

Infineon

IQE050N08NM5CGATMA1

od PLN 4,916*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 650V, 80A, TO-247 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH80N65X2-4, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=70 ns, Czas opóźnienia włączenia=32 ns, Napięcie bramka-źró...

IXYS

IXFH80N65X2-4

od PLN 40,43*
za szt.

Infineon BSC010NE2LS tranzystor 300 V (1 Oferta)

Infineon

BSC010NE2LSATMA1

od PLN 15,97*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 15A; 2,1W; SO8 (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,1W Polaryza...

Texas Instruments

CSD88537NDT

od PLN 2,89*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 521 522 523 524 525 526 527 528 529 530 531 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 951 ofert spośród 4 926 784 artykułów)

"MOSFET"