Tranzystor MOSFET, Typ=SPP15N60C3XKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=15 A, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=650 V, Rezystancja włączenia (Rds(on))=280 mΩ, Rozpraszanie mocy (Pd)=156 W, Styki=3, Temperatura robocza, maks.=150 °C, Temperatura robocza, min.=-55 °C, Temperatura rozpływu maks.=-999, Biegunowość tranzystora=Kanał N, Konfiguracja=Pojedyncza, Opakowanie=Rura, Typ mocowania=Przewlekany, Typ obudowy=TO-220 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | MERCATEO_WA_NR: | 8541100000 | Kraj pochodzenia: | DE | Numer celny: | 8541100000 | Wysokość: | 5 mm | Waga netto: | 2 g | Głębokość: | 30 mm | Waga brutto: | 2 g | Szerokość: | 10 mm |
|