Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 870 ofert spośród 5 026 732 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 8 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SI4534DY-T1-GE3
od PLN 2,528*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 2,5/-2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65/75mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpra...
Alpha & Omega Semiconductor
AO6604
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 7.5 A, 7.5 A SOIC 40 V SMD 0.04 O, 0.045 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 7.5 A, 7.5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SOIC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Diodes
DMC4040SSDQ-13
od PLN 1,517*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 40/-40V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252-4 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 40/-40V Prąd drenu: 12/-12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30/45...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD609
od PLN 1,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 13 A D2PAK (TO-263) 150 V SMD 0.29 Ω (1 Oferta) 
Jednokanałowy tranzystor Infineon typu p HEXFET Power MOSFET w pakiecie D2-Pak. Ma szybkie przełączanie i w pełni lawinowy rating. Nie zawiera ołowiu i ma niską rezystancję.Jest zgodny z RoHS i zgo...
Infineon
AUIRF6215STRL
od PLN 11,387*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X4-Class; unipolarny; 150V; 150A; Idm: 260A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 93ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża...
IXYS
IXTP150N15X4A
od PLN 16,04*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRLR9343 tranzystor 55 V (2 ofert)
Infineon
IRLR9343TRPBF
od PLN 5,265*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT26 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 1,14/-1,34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4/0,7Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...
Diodes
DMC2700UDM-7
od PLN 0,27*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy QFN 9 (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Typ opakowania = QFN 9 Liczba styków = 31 Tryb kanałowy = Rozszerzenie
ST Microelectronics
MASTERGAN4LTR
od PLN 46 843,23*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 1,3/-0,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1/0,5Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana:...
Diodes
DMC2450UV-7
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 8,5 A SOP 40 V SMD 0.016 O, 0.019 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = SH8MB Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
ROHM Semiconductor
SH8MB5TB1
od PLN 3,049*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-60V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252-4 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 60/-60V Prąd drenu: 9,5/-9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60/...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD603A
od PLN 1,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 0.205 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
AUIRFR5410TRL
od PLN 4,107*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 20 A WSON 20 V 2.39e+006 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = NexFET Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 2.39e+006 Ω Tryb kanałowy = Rozszerze...
Texas Instruments
CSD25310Q2
od PLN 0,455*
za szt.
 
 szt.
MOSFET NPN-kanałowy 30 A, 30 A, 20 A Potrójny Die 200 (kanał 3) V 40 (kanał 1) V 40 (2) V SMD Wspólny dren 48 W, 48 W, (1 Oferta) 
Motoryzacja 40 V N- i P-kanałowe wspólny spust pary MOSFET i 200 V N-kanałowych tranzystorów MOSFET.Zoptymalizowane potrójny zestaw tłoczników Układ MOSFET zasilania TrenchFET®
Vishay
SQUN702E-T1_GE3
od PLN 5,319*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1041   1042   1043   1044   1045   1046   1047   1048   1049   1050   1051   ..   1525   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.