Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 870 ofert spośród 5 026 732 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,5 A; 7 A DFN3333-9DC 30 V SMD 0.08 Ω, 0.035 Ω (1 Oferta) 
Mały sygnał ROHM MOSFET ma typ pakietu TSMT8. Jest on używany głównie do przełączania.Niska rezystancja włączenia Mały zestaw do montażu powierzchniowego Bez Pb, zgodny z RoHS
ROHM Semiconductor
HS8MA2TCR1
od PLN 1,727*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 72A; 390W; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W...
IXYS
IXFP72N30X3
od PLN 24,63*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ215CHXTMA1
od PLN 2,19988*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 12 A PowerPAK SC-70 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerPAK SC-70 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SIA4263DJ-T1-GE3
od PLN 1,412*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 100A; 48W; 130ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 4...
IXYS
IXFH100N30X3
od PLN 38,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1,2 W 145 miliomów (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-...
Diodes
DMP3125L-7
od PLN 0,229*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5.4 A, 10 A PowerDI5060-8 12 V; 20 V SMD 0.025 O, 0.053 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5.4 A, 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V; 20 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksym...
Diodes
DMC1018UPDWQ-13
od PLN 0,952*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 600V; 36A; Idm: 48A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 446W...
IXYS
IXFP36N60X3
od PLN 15,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5.3 A,3.9 A SO-8 60 V SMD 0.072 O,0.15 O (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5.3 A,3.9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dr...
Vishay
SI4559ADY-T1-E3
od PLN 1,903*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 12,1 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8
Diodes
DMP3011SPDW-13
od PLN 2,484*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 210A; 1250W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1...
IXYS
IXFX210N30X3
od PLN 96,15*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A SOT-346T 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RTR025P02HZGTL
od PLN 0,838*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 6 A PowerPAK ChipFET 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = PowerPAK ChipFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI5517DU-T1-GE3
od PLN 1,94*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 550 ma, 800 ma SOT-363 30 V SMD 0,7 oma (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia pary uzupełniającej DiodesZetex 30V MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu, a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, dzięki czemu...
Diodes
DMC3401LDW-7
od PLN 538,71*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 5,1/-3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32/85mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Zastosowanie: bran...
Diodes
DMC3025LSDQ-13
od PLN 0,73*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1041   1042   1043   1044   1045   1046   1047   1048   1049   1050   1051   ..   1525   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.