MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 542/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor MOSFET, Kanał P, -20V, -4.3A, SOT-23 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRLML2244TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=-4.3 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=34 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-ź...

IRLML2244TRPBF

od PLN 0,57*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 11,4 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Nexperia

PXN9R0-30QLJ

od PLN 1 913,01*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 17A; 210W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 210W Polary...

ST Microelectronics

STP35N60DM2

od PLN 10,85*
za szt.

Infineon IRF7314 tranzystor 30 V (2 ofert)

Infineon

IRF7314TRPBF

od PLN 3,04*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 11 A TO-247AC 600 V Pojedynczy 180 W 580 miliomów (2 ofert)

MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFPC50APBF

od PLN 6,83*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał P, -20V, -7.7A, SO-8 (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7404TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=-7.7 A, Czas narastania=32 ns, Czas opadania=65 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=100 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-ź...

Infineon

IRF7404TRPBF

od PLN 1,232*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 11,3 A PG-TSDSON-8 200 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = PG-TSDSON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozsz...

Infineon

BSZ12DN20NS3GATMA1

od PLN 3,753*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 25A; Idm: 160A (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 79mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzac...

ST Microelectronics

STWA48N60DM2

od PLN 26,07*
za szt.

Infineon IRLML6302 tranzystor 55 V (3 ofert)

Infineon

IRLML6302TRPBF

od PLN 0,43*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 110 A D-PAK 60 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = D-PAK Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej

Infineon

IRFR7540TRPBF

od PLN 1,363*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 650V; 30A; 360W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W Polaryzac...

ST Microelectronics

STW56N65DM2

od PLN 28,16*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 11,5 A DPAK (TO-252) 250 V SMD 0.18 Ω, 0.162 Ω (1 Oferta)

Vishay SQD10950E_GE3 to samochodowy N-kanałowy MOSFET o napięciu 250 V (D-S) i temperaturze 175°C.Układ MOSFET zasilania TrenchFET® Obudowa i niskim oporze cieplnym Rg i UIS testowane w 100 % Kwali...

Vishay

SQD10950E_GE3

od PLN 2,20*
za szt.

Infineon IPD65R225C7 tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPD65R225C7ATMA1

od PLN 5,688*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 650V; 24A; 300W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzac...

ST Microelectronics

STW50N65DM2AG

od PLN 21,56*
za szt.

Infineon IRFHM9331 tranzystor 55 V (3 ofert)

Infineon

IRFHM9331TRPBF

od PLN 0,987*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 541 542 543 544 545 546 547 548 549 550 551 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 035 ofert spośród 4 840 849 artykułów)

"MOSFET"