 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 12,1 A SOIC 60 V SMD 0.012 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOIC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź... |
|
od PLN 0,848*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 15,61*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB120N06S4H1ATMA2 |
od PLN 7,728*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 14,15*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 12,1 A SOIC 60 V SMD 0.012 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOIC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź... |
|
od PLN 0,85*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 195,83*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 120 A D2PAK (TO-263) 150 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na... |
|
od PLN 11,283*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,26*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,885*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 24,36*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB120N08S403ATMA1 |
od PLN 8,554*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 38,15*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 12,5 A DFN2020 80 V SMD 42 MO (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
|
od PLN 0,921*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,49*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 120 A D2PAK (TO-263) 60 V 0.002 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET z serii Infineon OptiMOS™-T2 o mocy N-kanal. Ma niskie straty mocy przełączania i przewodzenia dla wysokiej wydajności cieplnej.Tryb rozszerzenia kanału N Temperatura pracy: 175°C... |
Infineon IPB120N06S4H1ATMA2 |
od PLN 10,332*
za szt. |
|
|
