Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 953 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 11,5 A TO-247 900 V Pojedynczy 54 W 360 mΩ (1 Oferta) 
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSF. Wolfspeed Z-FET™, C2M™ i C3M™ Silicon Carbide MOSFET. Seria tranzystorów MOSFET SiC drugiej generacji firmy Cree z działu zasilania firmy Wolfspeed, które zape...
Wolfspeed
C3M0280090D
od PLN 16,531*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 15,8A; Idm: 78A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rod...
ST Microelectronics
STW33N60M6
od PLN 15,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 40V, 430mA, TO-92 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=TP0606N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=430 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=15 ns, Czas opóźnienia włączenia=8 ns, Napięcie bramka-źródł...
Microchip Technology
TP0606N3-G
od PLN 2,70*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 114 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.0051 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 114 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SQJ152EP-T1_GE3
od PLN 2,114*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 15,8A; Idm: 78A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Pola...
ST Microelectronics
STF33N60M6
od PLN 11,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11.9 A, 30.2 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0,015 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11.9 A, 30.2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = DMT47 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...
Diodes
DMT47M2LDV-7
od PLN 1,432*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolarny; 1200V; 7,6A; 250W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 620mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...
ST Microelectronics
STW12N120K5
od PLN 22,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 55V, 18A, TO-252 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR5505TRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=18 A, Czas narastania=28 ns, Czas opadania=16 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr...
Infineon
IRFR5505TRLPBF
od PLN 1,599*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A TO-220 100 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3
ST Microelectronics
STP150N10F7AG
od PLN 9,248*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 13,9A; 150W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 148mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polary...
ST Microelectronics
STW31N65M5
od PLN 9,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11,8 A MLPAK33 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXN7R7-25QLJ
od PLN 0,733*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 19A; Idm: 102A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW36N60M6
od PLN 15,12*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 114 A SuperSO8 5 x 6 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 114 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na...
Infineon
BSC074N15NS5ATMA1
od PLN 13,95*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRFS7540 tranzystor 60 V (2 ofert)
Infineon
IRFS7540TRLPBF
od PLN 3,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolarny; 900V; 13A; Idm: 80A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...
ST Microelectronics
STP20N90K5
od PLN 14,94*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   541   542   543   544   545   546   547   548   549   550   551   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.