| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2282957 Nr producenta: SQJ152EP-T1_GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 114 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0051 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.3V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 114 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PowerPAK SO-8L | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0051 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.3V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2282957, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQJ152EPT1_GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |