 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 11,4 A DO 263 600 V SMD 0.31 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł... |
Infineon IPB65R310CFDAATMA1 |
od PLN 8,416*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STF13N60DM2 |
od PLN 4,22*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,97*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,573*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STP26N60DM6 |
od PLN 7,12*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 16,611*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STW18N60DM2 |
od PLN 6,32*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -30V, -3A, SOT-223 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSP250, Ciągły prąd drenu (Id)=-3 A, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=-30 V, Rezy... |
|
od PLN 1,22*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 16,82*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STWA63N65DM2 |
od PLN 31,91*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -30V, -4.6A, SO-8 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7205TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=-4.6 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=71 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=97 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,19*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 11,4 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 |
|
od PLN 0,832*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STF26N60DM6 |
od PLN 9,59*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 110 A I2PAK (TO-262) 55 V 0.0065 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.006... |
|
od PLN 4,161*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STW12N120K5 |
od PLN 22,22*
za szt. |
|
|
