| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2296472 Nr producenta: NTMFS7D8N10GTWG EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.Minimize conduction losses High peak UIS current capability for ruggedness Halogen-free Pb-free Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 110 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | PQFN 5 x 6 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0076 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2296472, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMFS7D8N10GTWG |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |