 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90B |
od PLN 35,71*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, -60V, SOT-223 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BCP52-16, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-1 A, Częstotliwość tranzytowa=145 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-60 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięcie ... |
|
od PLN 0,95*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 41 A Uce 600 V 1 PG-TO263-3 166 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 41 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 166 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu... |
|
od PLN 6,02*
za szt. |
|
|
|
Qorvo (UnitedSiC) UF3C065080K4S |
od PLN 93,69*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, -65V, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC856B, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięcie... |
|
od PLN 0,0907*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.44 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT40TS65DGC13 |
od PLN 11,816*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor QS5U12TR |
od PLN 0,71*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, -80V, SOT-89 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BCX53, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-1 A, Częstotliwość tranzytowa=145 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-100 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięcie ko... |
|
od PLN 1,09*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 42 A Uce 650 V 1 DO-220-3 125 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 42 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-220-3 |
|
od PLN 4,749*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 54ns C... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1 |
od PLN 30,19*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGWT20H65FB |
od PLN 7,39*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 40A; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Typ tranzystora: IGBT Rodzaj opakowania: tuba Właściwo... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH40N120HF |
od PLN 26,79*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 41 A Uce 600 V PG-TO247-3 166 W (1 Oferta) Dwubiegunowy tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon o niskiej stracie w technologii trenchstop i Fieldstop.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Nis... |
|
od PLN 9,854*
za szt. |
|
|
|
Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3 |
od PLN 138,84*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, 30V, SC-59 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC859CE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=250 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=30 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, N... |
|
od PLN 0,78*
za szt. |
|
|
