Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
Infineon IPP057N08N3GXKSA1 |
od PLN 5,342*
za szt. |
| |
IGBT Ic 5 A Uce 1200 V 6 DIP kanał: N (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 16.5V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = DIP Typ kanału = N Liczba styk... |
|
od PLN 93,659*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 47,60*
za szt. |
| |
|
Infineon IPA028N08N3GXKSA1 |
od PLN 12,18*
za szt. |
| |
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 PG-TO247-3 150 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 150 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu... |
|
od PLN 183,15*
za 30 szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 80V, 95A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=DIT095N08, Ciągły prąd drenu (Id)=95 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=56 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 3,61*
za szt. |
| |
IGBT Ic 41 A Uce 600 V PG-TO247-3 166 W (1 Oferta) Dwubiegunowy tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon o niskiej stracie w technologii trenchstop i Fieldstop.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Nis... |
|
od PLN 9,834*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 850V, 66A, TO-264P (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK66N85X, Ciągły prąd drenu (Id)=66 A, Czas narastania=48 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=105 ns, Czas opóźnienia włączenia=40 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 76,54*
za szt. |
| |
IGBT Ic 5 A Uce 600 V 1 TO-252 82 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 82 W Typ opakowania = TO-252 |
|
od PLN 3,159*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 850V, 90A, ISOPLUS264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFB90N85X, Ciągły prąd drenu (Id)=90 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=126 ns, Czas opóźnienia włączenia=50 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 118,49*
za szt. |
| |
IGBT Ic 5 A Uce 600 V 400 DIP38 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Liczba tranzystorów = 400 Typ opakowania = DIP38 |
|
od PLN 30,187*
za szt. |
| |
|
Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080B3 |
od PLN 42,94*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 85V, 215A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=DIT195N08, Ciągły prąd drenu (Id)=215 A, Czas narastania=66 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=92 ns, Czas opóźnienia włączenia=62 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 10,02*
za szt. |
| |
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-220 147 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-220 Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGP20H65DFB2 |
od PLN 4,307*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 32ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 75,33*
za szt. |
| |
|
