 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (2 ofert) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3 |
|
od PLN 2,56753*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 PG-TO247-3 150 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 150 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu... |
|
od PLN 182,7102*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 300V, TO-126 (2 ofert) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=KSC3503DS, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=150 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=300 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięci... |
|
od PLN 1,06*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-220 147 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGP20H65DFB2 |
od PLN 6,232*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 161A Czas załączania: 37ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT54GA60B |
od PLN 26,33*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGWA35IH135DF2 |
od PLN 14,38*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 65A Czas załączania: 20ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GP60BDQ1G |
od PLN 22,37*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-220FP 45 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGF20H65DFB2 |
od PLN 5,66*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,93*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 30V, TO-92 (3 ofert) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC548CTA, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=300 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=30 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie ... |
|
od PLN 0,187*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-220 147 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-220 Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGP20H65DFB2 |
od PLN 4,317*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 40V, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BSR14, Ciągły prąd kolektora (Ic)=800 mA, Częstotliwość tranzytowa=300 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=75 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie kol... |
|
od PLN 0,354*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 147 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 147 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 3... |
ST Microelectronics STGWA20H65DFB2 |
od PLN 10,125*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B |
od PLN 33,33*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 40V, SOT-363 (2 ofert) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=MBT3904DW1T1G, Ciągły prąd kolektora (Ic)=200 mA, Częstotliwość tranzytowa=300 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=60 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napi... |
|
od PLN 0,104*
za szt. |
|
|
