Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 75V, 82A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF2807PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=82 A, Czas narastania=64 ns, Czas opadania=48 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=49 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 3,86*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65CHRC11 |
od PLN 38,089*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90B2D30 |
od PLN 50,47*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 10.5A, TO-247 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STW12NK80Z, Ciągły prąd drenu (Id)=10.5 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=70 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 22,14*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65DHRC11 |
od PLN 20,936*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 14,95*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 10A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFP10N80P, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=22 ns, Czas opadania=22 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=62 ns, Czas opóźnienia włączenia=21 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 12,94*
za szt. |
| |
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V AG-ECONO2C-311 210 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 210 W Typ opakowania = AG-ECONO2C-311 |
|
od PLN 518,827*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 54ns C... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 |
od PLN 29,37*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 8,40*
za szt. |
| |
|
ST Microelectronics STGWA20HP65FB2 |
od PLN 8,31*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 13,407*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65EHRC11 |
od PLN 20,697*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90S |
od PLN 49,60*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 1A, SOT-223 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STN1NK80Z, Ciągły prąd drenu (Id)=1 A, Czas narastania=23 ns, Czas opadania=28 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źródło=30... |
|
od PLN 3,39*
za szt. |
| |
|
