Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 372 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 789 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 372 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu = Monta... |
|
od PLN 333,078*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 44A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 44A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT44GA60B |
od PLN 31,17*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 45V, SC-59 (2 ofert) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC847BE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=250 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, N... |
|
od PLN 0,21*
za szt. |
| |
|
ST Microelectronics STGWA20HP65FB2 |
od PLN 8,29*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 16A; 310W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 28,63*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 45V, SC-59 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BCX70KE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=250 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=45 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, N... |
|
od PLN 0,69*
za szt. |
| |
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 147 W (2 ofert) Bramka STMicroelectronics Field-stop, 650 V, 20 A, szybka seria IGBT HB2 w pakiecie DO 247 długich odprowadzeń.Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C. Niskie VCE (SAT) = 1.65 V (standardowo... |
ST Microelectronics STGWA20H65DFB2 |
od PLN 6,279*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,69*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 45V, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC817-40, Ciągły prąd kolektora (Ic)=500 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie ... |
|
od PLN 0,18*
za szt. |
| |
|
ST Microelectronics STGWA40H65DFB2 |
od PLN 11,07*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 52ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA60B |
od PLN 40,21*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 45V, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC847B, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie ko... |
|
od PLN 0,0914*
za szt. |
| |
IGBT Ic 38 A Uce 650 V 1 DO-220-3 130 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 38 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 130 W Typ opakowania = DO-220-3 |
|
od PLN 8,509*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 161A Czas załączania: 37ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT54GA60BD30 |
od PLN 31,63*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 45V, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC817-25, Ciągły prąd kolektora (Ic)=500 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie ... |
|
od PLN 0,27*
za szt. |
| |
|
