 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 400 A Uce 1200 V 2 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 400 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2 kW Typ montażu = Montaż na panelu Liczba st... |
|
od PLN 751,84*
za szt. |
|
|
|
Qorvo (UnitedSiC) UF3C065030K4S |
od PLN 209,28*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 80V, 150A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=SUP60020E-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=150 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 7,146*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 48 A Uce 600 V 1 TO-247GE 111 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 111 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGCL60TS60DGC13 |
od PLN 11,156*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 80V, 150A, TO-263 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=SUM60020E-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=150 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 5,989*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 48 A Uce 600 V TO-247AD kanał: N 250 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon z ultraszybką diodą do odzyskiwania energii.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromag... |
|
od PLN 19,397*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 464,88*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 80V, 55A, SuperSO8 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSC123N08NS3GATMA1, Ciągły prąd drenu (Id)=55 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka... |
Infineon BSC123N08NS3GATMA1 |
od PLN 2,248*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 16A; 310W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 28,84*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPP100N08N3GXKSA1 |
od PLN 5,792*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 41 A Uce 600 V 1 PG-TO263-3 166 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 41 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 166 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu... |
|
od PLN 6,04*
za szt. |
|
|
|
Infineon IGT60R190D1SATMA1 |
od PLN 34,09*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPA037N08N3GXKSA1 |
od PLN 7,72*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 48 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.74 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 1.74 mW Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT50TS65DGC13 |
od PLN 12,538*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1350 V PG-TO247-3 394 W (2 ofert) Dwubiegunowy tranzystor izolowany Infineon z przełączaniem dźwiękochłonnym o niskim napięciu nasycenia.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia el... |
|
od PLN 12,825*
za szt. |
|
|
