Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 450 A Uce 1700 V 2,5 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2,5 kW Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = ... |
|
od PLN 1 036,26*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,255*
za szt. |
| |
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (2 ofert) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3 |
|
od PLN 2,56753*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 7A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFP7N80P, Ciągły prąd drenu (Id)=7 A, Czas narastania=32 ns, Czas opadania=24 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=28 ns, Napięcie bramka-źródło=3... |
|
od PLN 10,53*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65EHRC11 |
od PLN 22,862*
za szt. |
| |
|
Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080T3S |
od PLN 40,70*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 6,03*
za szt. |
| |
IGBT Ic 450 A Uce 1700 V 2,5 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2,5 kW Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = ... |
|
od PLN 988,932*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 160A; 375W; SUPER247 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: SUPER247 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 16... |
|
od PLN 75,50*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 9A, TO-247 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STW10NK80Z, Ciągły prąd drenu (Id)=9 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=17 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 23,02*
za szt. |
| |
IGBT Ic 48 A Uce 600 V 1 TO-247GE 111 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGCL60TS60DGC13 |
od PLN 6 622,962*
za 600 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 40A; 1,5kW; TO247HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 380A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 165,38*
za szt. |
| |
|
Infineon IPP037N08N3GXKSA1 |
od PLN 5,888*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,94*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 80V, 120A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=DIT120N08, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=39 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=91 ns, Czas opóźnienia włączenia=26 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 5,15*
za szt. |
| |
|
