| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2025517 Nr producenta: STGWA40H65DFB2 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Układ IGBT STMicroelectronics o dużej prędkości stanowi ewolucję Advanced, opatentowanej konstrukcji bramki do rowów, która jest w pełni zabudowana. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodnictwa dzięki lepszemu zachowaniu VCE(SAT) przy niskich wartościach prądu, a także pod względem zmniejszonej energii przełączania.Ścisły rozkład parametrów Niska rezystancja termiczna Dodatni współczynnik temperaturowy VCE(SAT) Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 40 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 650 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±20V | Maksymalna strata mocy: | 230 W | Liczba tranzystorów: | 1 | Typ opakowania: | TO-247 | Typ kanału: | N | Liczba styków: | 3 | Konfiguracja tranzystora: | Wspólny nadajnik |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |