Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 214 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2352756
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGW80TS65CHRC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 214 W
Typ opakowania = TO-247N
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Wspólny nadajnik
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
40 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
214 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247N
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2352756, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGW80TS65CHRC11
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 38,109*
  
Cena obowiązuje od 4 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 450 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 450 szt.
PLN 38,899*
PLN 47,846
za szt.
od 900 szt.
PLN 38,789*
PLN 47,71
za szt.
od 2250 szt.
PLN 38,329*
PLN 47,145
za szt.
od 4500 szt.
PLN 38,109*
PLN 46,874
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.