Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 5 A Uce 1200 V 6 DIP kanał: N


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2216684
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     NFAM0512L5BT
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 16.5V
Liczba tranzystorów = 6
Typ opakowania = DIP
Typ kanału = N
Liczba styków = 39
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
5 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
16.5V
Liczba tranzystorów:
6
Konfiguracja:
Mostek 3 fazowy
Typ opakowania:
DIP
Typ kanału:
N
Liczba styków:
39
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2216684, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, NFAM0512L5BT
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 93,659*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 151,222*
PLN 186,003
za szt.
od 2 szt.
PLN 147,762*
PLN 181,747
za szt.
od 5 szt.
PLN 141,762*
PLN 174,367
za szt.
od 10 szt.
PLN 127,393*
PLN 156,693
za szt.
od 20 szt.
PLN 124,573*
PLN 153,225
za szt.
od 100 szt.
PLN 115,012*
PLN 141,465
za szt.
od 250 szt.
PLN 106,797*
PLN 131,36
za szt.
od 500 szt.
PLN 103,849*
PLN 127,734
za szt.
od 3000 szt.
PLN 93,659*
PLN 115,201
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.