Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-EASY1B-711 |
|
od PLN 3 488,173*
za 24 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 48A Czas załączania: 39ns Czas wyłączania: 238... |
|
od PLN 12,11*
za szt. |
| |
|
Infineon IKW15N120CS7XKSA1 |
od PLN 14,72*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 300A; 2,3kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie: 1,14kA Czas załączania: 137ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 100,42*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 29A, TO-263 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ34NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=29 A, Czas narastania=49 ns, Czas opadania=40 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 1,60*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N2T7B15BPSA1 |
od PLN 536,969*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 39,743*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 52,99*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-252 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR3915TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=51 ns, Czas opadania=100 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=83 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.4 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 1,61*
za szt. |
| |
IGBT Ic 15 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.07 mW (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Maksymalna strata mocy = 0.07 mW Typ opakowania = SDIP2B Liczba styków =... |
ST Microelectronics STGIB10CH60TS-LZ |
od PLN 31,39*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 110A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 71ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 31,96*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-252 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR4105ZTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=40 ns, Czas opadania=24 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,551*
za szt. |
| |
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-EASY1B-711 |
|
od PLN 142,13*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1,7kW; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 320A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 107ns Czas wyłącza... |
|
od PLN 76,47*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-263 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ34NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.9 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 1,81*
za szt. |
| |
|
