Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 695W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 370A Czas załączania: 92ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 60,06*
za szt. |
| |
|
Infineon BSS670S2LH6327XTSA1 |
od PLN 0,21*
za szt. |
| |
IGBT Ic 146 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 446 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 146 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 446 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ... |
|
od PLN 125,341*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1,63kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 900A Czas załączania: 140ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 76,50*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 59A, TO-252 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR2905ZTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=59 A, Czas narastania=66 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,35*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N2T7B54BPSA1 |
od PLN 544,59*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 94ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 18,89*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 64A, TO-263 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ48NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=64 A, Czas narastania=78 ns, Czas opadania=50 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=34 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,332*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N2T7B54BPSA1 |
od PLN 527,86*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 33,32*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 75A, TO-220 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010ZPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=75 A, Czas narastania=150 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 5,24*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 13,895*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 123ns Czas wyłączan... |
|
od PLN 52,62*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 4,01*
za szt. |
| |
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) Moduł Infineon 15 A PIM IGBT charakteryzuje się większą gęstością mocy i ma niższe koszty systemu. Ma niskie napięcie stanu VCESAT i VF.Lepsza kontrola nad obrazem dv/dt Zoptymalizowane straty przy... |
Infineon FP15R12W1T7B11BOMA1 |
od PLN 170,017*
za szt. |
| |
|
