Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247AD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 115A Czas załączania: 23ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 15,99*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 20.7A, TO-220FP (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=SPA20N60C3XKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=20.7 A, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=4.5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=67 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 13,514*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N2T7B15BPSA1 |
od PLN 521,348*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 280A Czas załączania: 44ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 22,23*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 20A, TO-220FP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP20NM60FP, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=42 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 24,03*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GT120B2RG |
od PLN 66,97*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,44*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 33,381*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 420A Czas załączania: 62ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 27,44*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 23.8A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IPP60R160C6XKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=23.8 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=96 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 7,82*
za szt. |
| |
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Monta... |
|
od PLN 123,618*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 220W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 12,09*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 28A, TO-3P (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFQ28N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=28 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=48 ns, Czas opóźnienia włączenia=27 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 15,01*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N3T7BPSA1 |
od PLN 583,12*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 45ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 24,04*
za szt. |
| |
|
