Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 64A, TO-263 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ48NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=64 A, Czas narastania=78 ns, Czas opadania=50 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=34 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,332*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP150R12N3T7B11BPSA1 |
PLN 714,507*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1,7kW; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 320A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 107ns Czas wyłącza... |
|
od PLN 76,59*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,99*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N3T7BPSA1 |
od PLN 510,311*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 450A Czas załączania: 63ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 57,30*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 75A, TO-220 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010ZPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=75 A, Czas narastania=150 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 5,26*
za szt. |
| |
|
Infineon IKW15N120CS7XKSA1 |
od PLN 15,144*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 17,51*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 85A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010NPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=85 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=48 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=39 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 3,01*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 44,52*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 85A, TO-263 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=85 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=48 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=39 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 2,86*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N2T7B15BPSA1 |
PLN 506,716*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Montaż: THT Obu... |
|
od PLN 175,24*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 5,507*
za szt. |
| |
|
