Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez... |
|
od PLN 0,35*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Czas wyłączania: 10... |
|
od PLN 7,03*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-323 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002W, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rezy... |
|
od PLN 0,0922*
za szt. |
| |
IGBT Ic 2,2 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 5,1 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 2,2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 5,1 W Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 0,754*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 10,10*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-363 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002DW, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
|
od PLN 0,381*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 33,601*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 94ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 34,37*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 11A, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM900N06CW RPG, Ciągły prąd drenu (Id)=11 A, Czas narastania=9.5 ns, Czas opadania=5.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.9 ns, Napięcie bra... |
Taiwan Semiconductor TSM900N06CW RPG |
od PLN 1,32*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
PLN 15,128*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 61ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 32,34*
za szt. |
| |
|
Infineon IPP032N06N3GXKSA1 |
od PLN 3,85*
za szt. |
| |
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 781 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =... |
|
od PLN 123,468*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 93,28*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 120A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB3306PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=77 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 5,33*
za szt. |
| |
|
