Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 40A; 480W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 180A Czas załączania: 84ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 28,77*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 17A, TO-252 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR024NTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=17 A, Czas narastania=74 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.1 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 1,346*
za szt. |
| |
|
Infineon 1ED44175N01BXTSA1 |
od PLN 1,323*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 50A; 460W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 55ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 44,27*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 18A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ24NPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=18 A, Czas narastania=74 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.1 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 1,67*
za szt. |
| |
|
Infineon IKW15N120CS7XKSA1 |
od PLN 15,531*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 2.8A, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFL024NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=2.8 A, Czas narastania=13.4 ns, Czas opadania=17.7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=22.2 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.1 ns, Napięcie br... |
|
od PLN 0,733*
za szt. |
| |
|
ST Microelectronics STGW100H65FB2-4 |
od PLN 25,82*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 31,45*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 5,57*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP150R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 726,545*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 50A; 460W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 60ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 53,26*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 25A, TO-252 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR3105TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=25 A, Czas narastania=57 ns, Czas opadania=37 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=25 ns, Czas opóźnienia włączenia=8 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 1,618*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 55A; 460W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 55A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 70ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 61,24*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 28A, TO-252 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR2705TRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=28 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.9 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 3,03*
za szt. |
| |
|
