Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 250W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 96A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania: 4... |
|
od PLN 11,30*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 3A, SO-8 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7103TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=3 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 1,09*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 11,932*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,08*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 9A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 8,00*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 550V, 12A, TO-220 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP12NM50, Ciągły prąd drenu (Id)=12 A, Czas narastania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłow... |
|
od PLN 15,07*
za szt. |
| |
IGBT Ic 139 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 658 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 139 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 658 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =... |
|
od PLN 110,61*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 400W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 440A Czas załączania: 92ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 63,82*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 1.9A, SOT-223 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFL014NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=1.9 A, Czas narastania=7.1 ns, Czas opadania=3.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.6 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 2,47*
za szt. |
| |
IGBT Ic 146 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 446 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 146 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż ... |
|
od PLN 1 027,67*
za 10 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 30A; 300W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 18,21*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 104A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRL2505PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=104 A, Czas narastania=160 ns, Czas opadania=84 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=43 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 4,89*
za szt. |
| |
IGBT Ic 100 A Uce 650 V AG-ECONO2B-411 335 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FS100R07N2E4BPSA1 |
od PLN 6 689,355*
za 15 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 40A; 380W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 52ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 30,15*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 110A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF3205PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=110 A, Czas narastania=101 ns, Czas opadania=65 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 2,299*
za szt. |
| |
|
