Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 100 A Uce 650 V AG-ECONO2B-411 335 W


Liczba:  paczka  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2580886
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS100R07N2E4BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 335 W
Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
335 W
Typ opakowania:
AG-ECONO2B-411
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2580886, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS100R07N2E4BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6 672,595*
  
Cena obowiązuje od 500 paczki
1 paczka zawiera 15 szt. (od PLN 444,83967* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 paczka
PLN 6 915,675*
PLN 8 506,28
za paczka
od 2 paczki
PLN 6 885,505*
PLN 8 469,171
za paczka
od 5 paczki
PLN 6 779,365*
PLN 8 338,619
za paczka
od 10 paczki
PLN 6 715,275*
PLN 8 259,788
za paczka
od 500 paczki
PLN 6 672,595*
PLN 8 207,292
za paczka
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.