 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 61ns Czas wyłączania: 8... |
|
od PLN 30,88*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 47A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ44NPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=47 A, Czas narastania=84 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 1,91*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 150 A PG-TO247-3-46 938 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 |
Infineon IKQ75N120CH3XKSA1 |
od PLN 47,38*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 62ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 17,91*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 49A, D2PAK (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ44NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=49 A, Czas narastania=60 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=44 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,095*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Czas wyłączania: 10... |
|
od PLN 7,10*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż... |
|
od PLN 114,472*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 45ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 13,66*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 5.2A, SOT-223 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFL4105TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=5.2 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.1 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 1,139*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N2T7B54BPSA1 |
od PLN 7 399,97505*
za 15 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 35,53*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP150R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 6 839,42*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 108ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 36,45*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,573*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 120 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 170 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 170 W Typ opakowania = TO247PLUS |
Infineon AIKQ120N75CP2XKSA1 |
od PLN 26,084*
za szt. |
|
|
