Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 120 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 714 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2148787
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     AFGY120T65SPD
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 714 W
Typ opakowania = TO-247
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
120 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
714 W
Liczba tranzystorów:
1
Typ opakowania:
TO-247
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2148787, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, AFGY120T65SPD
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 39,853*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 30 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 30 szt.
PLN 44,883*
PLN 55,206
za szt.
od 60 szt.
PLN 44,533*
PLN 54,776
za szt.
od 150 szt.
PLN 42,093*
PLN 51,774
za szt.
od 300 szt.
PLN 41,253*
PLN 50,741
za szt.
od 15000 szt.
PLN 39,853*
PLN 49,019
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.