Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 958 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 79 A SO-8FL 120 V SMD 0.02 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 79 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Typ opakowania = SO-8FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...
onsemi
NTMFS008N12MCT1G
od PLN 4,212*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 180W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXTP12N70X2
od PLN 10,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8,4 A IPAK (TO-251) 600 V 0.8 O. (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. CoolMOS CE to z...
Infineon
IPS60R800CEAKMA1
od PLN 1,843*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 7,3A; 63W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 7,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W P...
Infineon
IPD65R600E6BTMA1
od PLN 2,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A TO-252 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
ROHM Semiconductor
RD3L080SNTL1
od PLN 1,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220FN Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: u...
NTE Electronics
NTE2957
od PLN 8,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 0.391 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma typ pakietu DPAK (TO-252) z pojedynczą konfiguracją.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (CISS) Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia ...
Vishay
SIHD11N80AE-GE3
od PLN 3,906*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC070N10LS5ATMA1
od PLN 21,565*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 8,4 A ThinPAK 5 x 6 700 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na ...
Infineon
IPLK70R600P7ATMA1
od PLN 3,366*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A TSMT-8 40 V SMD 0.0177 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = QH8KB6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
ROHM Semiconductor
QH8KB6TCR
od PLN 1,674*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 6A; Idm: 18A; 50W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: ...
NTE Electronics
NTE2976
od PLN 26,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 850 V SMD 0.45 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Vishay
SIHD11N80AE-T1-GE3
od PLN 6,498*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A 1212-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
Vishay
SIS4634LDN-T1-GE3
od PLN 4 681,74*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 8,4 A TO-220 FP 600 V 800 MO (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS™ CE jest odpowiedni do twardych i miękkich zastosowań przełączania, a jako nowoczesny superwęzeł zapewnia niskie straty przewodzenia i przełączania, poprawiając wydajność i ostatec...
Infineon
IPAN60R800CEXKSA1
od PLN 2,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8,3 A SO-8 100 V SMD 0.0292 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
Si4056ADY-T1-GE3
od PLN 7,27*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   981   982   983   984   985   986   987   988   989   990   991   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.