| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2799974 Nr producenta: SIS4634LDN-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | 1212-8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2799974, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIS4634LDNT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |