Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 918 734 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
IPU80R3K3P7AKMA1
od PLN 2,13*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD050N10N5ATMA1
PLN 4,881*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80.3 A PowerPAK SO-8 60 V SMD 0.0044 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80.3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SiR186LDP-T1-RE3
od PLN 1,604*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A TO-252 100 V SMD 0.0082 O. (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET mocy Infineon 100V OptiMOS oferują doskonałe rozwiązania dla SMPS o wysokiej wydajności i dużej gęstości mocy. W porównaniu z kolejną najlepszą technologią ta seria redukuje o 30...
Infineon
IPD082N10N3GATMA1
od PLN 3,914*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IPB80N06S4L07ATMA2
od PLN 4,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,3A; 45W; DPAK; ESD (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STD2N80K5
od PLN 2,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 800 mA SOT-363 30 V SMD 0,7 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 800 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMN3401 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Diodes
DMN3401LDW-7
od PLN 0,914*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 24A; 650W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT24N80P
od PLN 33,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 800 mA SOT-363 20 V SMD 0.75 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 800 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-363 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...
Diodes
DMN2710UDW-7
od PLN 0,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 31A; Idm: 124A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8024LFLLG
od PLN 109,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 800 mA SOT-363 30 V SMD 0,7 oma (2 ofert) 
Tryb wzmocnienia dwukanałowego DiodesZetex 30V MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu, a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealn...
Diodes
DMN3401LDW-7
od PLN 0,258*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IPB80N08S2L07ATMA1
od PLN 7,733*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,57A; 25W; TO220FP; ESD (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,57A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polary...
ST Microelectronics
STF3NK80Z
od PLN 5,07*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 81 A DirectFET izometryczny 20 V SMD 0.0064 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 81 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0064 Ω Tryb kanał...
Infineon
IRF6636TRPBF
od PLN 5,186*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 800 mA SOT-363 30 V SMD 0.4 O. (1 Oferta) 
System MOSFET z podwójnym n-kanalikowym trybem wzmocnienia DiodesZetex został zaprojektowany z myślą o spełnieniu surowych wymagań w zakresie zastosowań motoryzacyjnych. Urządzenie jest zgodne z no...
Diodes
DMN3401LDWQ-7
od PLN 0,525*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   981   982   983   984   985   986   987   988   989   990   991   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.